Aluminium-Siliziumkarbid-IGBT-Substrat
Aluminium-Siliziumkarbid-IGBT-Substrat Das Aluminium-Siliziumkarbid-IGBT-Substrat bietet eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und mechanische Festigkeit und eignet sich daher gut für...
Aluminium-Siliziumkarbid-IGBT-Substrat Das Aluminium-Siliziumkarbid-IGBT-Substrat bietet eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und mechanische Festigkeit und eignet sich daher gut für...
PZT-Substrat PZT-Substrat wird aus Hochleistungs-Blei-Zirkonat-Titanat-Keramik hergestellt und bietet eine starke elektromechanische Kopplung, eine hohe Dielektrizitätskonstante und...
Berylliumoxid-Substrat Berylliumoxid-Substrat bietet eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und elektrische Isolierung, wodurch es sich ideal für elektronische Hochleistungsanwendungen eignet. Es...
Yttriumoxid-stabilisiertes Zirkoniumdioxid-Kristallsubstrat Yttriumoxid-stabilisiertes Zirkoniumdioxid-Kristallsubstrat ist ein Hochleistungsmaterial, das durch Dotierung von Zirkoniumdioxid (ZrO₂) mit...
Yttriumoxid-stabilisiertes Zirkoniumdioxid-Substrat Yttriumoxid-stabilisiertes Zirkoniumdioxid-Substrat ist ein hochleistungsfähiges keramisches Basismaterial, das für seine außergewöhnliche thermische Stabilität, mechanische Festigkeit,...
Siliziumnitrid-Substrat Reinheit: ≥99% Siliziumnitrid-Substrat wird bei 2000°C unter Verwendung einer speziellen Formel und eines speziellen Verfahrens gesintert. Es bietet außergewöhnliche...
Zirkoniumdioxid-Keramik-Substrat Reinheit: ≥99% Zirkoniumdioxid-Keramik-Substrat ist ein Hochleistungsmaterial, das für seine hervorragende Hochtemperaturbeständigkeit, elektrische Isolierung und...
Siliziumkarbid-Substrat Reinheit: ≥99% Dicke: 0,1-2,0 mm, oder kundenspezifisch Siliziumkarbid-Substrat wird aus hochreinem Siliziumkarbid (SiC) hergestellt und bietet...
Aluminiumnitrid-Substrat Reinheit: 95%-99% Aluminiumnitrid-Substrat ist ein Hochleistungskeramikmaterial mit außergewöhnlicher Wärmeleitfähigkeit, elektronischer Isolierung und...