Aluminiumnitrid-Substrat

Aluminum Nitride Substrate HM

Aluminiumnitrid-Substrat

Reinheit: 95%-99%

  • Kundenspezifische Größen und Standardgrößen auf Lager
  • Konkurrenzfähiger Preis
  • Schnelle Vorlaufzeit
  • Aluminum nitride substrate is a high-performance ceramic material with exceptional thermal conductivity, electronic insulation, and high-temperature resistance. It is widely used in high-power electronic devices, LED packaging, microwave circuits, and automotive and aerospace electronic systems. As a leading supplier and manufacturer of premium aluminum nitride products, we can supply high-quality aluminum nitride substrates with various specifications and competitive prices, offering customized solutions to meet specific requirements.

Oder senden Sie uns eine E-Mail an sales@heegermaterials.com.

Aluminum nitride substrate data sheet

Referenzcode:

HM1914

Reinheit:

95%-99%

Die Dichte:

3.32 g/ cm³

Erscheinungsbild:

Dunkelgrau / Hellgrau / Beige

Abmessungen:

Personalized

Die Form:

Rectangular, round or custom

Oberflächengüte:

Grinding, polishing or metallizing

Aluminum nitride substrate

The aluminum nitride (AlN) substrate is made from high-purity aluminum nitride ceramic. It provides effective thermal management in high-temperature environments, along with low dielectric loss and excellent thermal shock resistance. Advanced Keramik Hub offers custom bulk and one-piece molding options to meet diverse industrial and research requirements, with flexible and rapid customization of product size and scale.

Properties of the aluminum nitride substrate

Article

Einheit

AlN-170

AlN-190

AlN-200

Dichte

g/ cm³

3.3

3.3

3.28

Melting point

2500

2500

Oberflächenrauhigkeit

μm

0.2~0.6

0.3~0.5

0.2~0.5

Thermal

Thermal conductivity

25℃ W/(mk)

170-190

190-210

204

Koeffizient der thermischen Ausdehnung

20~300℃ (10 -6 /℃)

4.6

4.6

4.0-5.0

Electric

Dielektrizitätskonstante

1 MHz, 25℃

8.56

8.56

Dielectric loss

1 MHz, 25℃

4.6×10-4

4.6×10 -4

Volume resistivity

20℃.Ω.cm

1.4×10 14

1.4×10 14

>10 14

Dielectric strength

KV/mm

≥15

≥15

>20

Mechanics

Flexural strength

MPA

300-400

300-400

350

Elastic modulus

GPa

310-320

310-320

Warp

~/25(length)

≤3‰

≤3‰

≤3‰

Standard specifications for aluminum nitride substrate

Produkt

Dicke 

Length and width

Standard 170W product

0.381 mm

4×4 inches (101.6×101.6 mm)
4.5×4.5 inches (114.3×114.3 mm)
120×120 mm
5×5 inches (127×127 mm)
5.5×7.5 inches (139.7×190.5 mm)

0.5 mm

0.635 mm

1.0 mm

1.5 mm

170W Non-standard product

0.1~0.2 mm

2×2 inches (50.8×50.8 mm)

0.2~0.3 mm

2×2 inches (50.8×50.8 mm)
3×3 inches (76.2×76.2 mm)
4×4 inches (101.6×101.6 mm)
4.5×4.5 inches (114.3×114.3 mm)

2.0~3.0 mm

1.0~3.0 mm

150 mm, 200 mm, 300 mm

200W

(0.3~0.38)±0.01 mm

4.5×4.5 inches (114.3×114.3 mm)

230W

(0.3~0.38)±0.01 mm

4.5×4.5 inches (114.3×114.3 mm)

Advantages of the aluminum nitride substrate

  • More than 7 times the thermal conductivity of alumina.
  • The coefficient of thermal expansion is close to that of silicon, which guarantees high reliability for the assembly of large silicon chips and resistance to thermal cycling.
  • Excellent electrical insulation with a low dielectric constant.
  • Superior mechanical resistance to that of alumina.
  • Excellent resistance to corrosion of molten metals.
  • Minimal impurity content, non-toxic and high purity.

Applications of aluminum nitride substrate

  • Elektronikindustrie : They are used as substrates for high-power electronic devices (e.g., power modules, IGBTs and MOSFETs) because they offer superior heat dissipation and electrical insulation.
  • LED Packaging : These are used as substrates for LED chips, taking advantage of their high thermal conductivity to improve heat dissipation and extend the device’s lifespan.
  • Microwave and RF : Used in microwave circuits and RF devices as substrates due to their low dielectric loss and high thermal stability.
  • Automotive electronics : Applied in power converters and control modules of electric vehicles to improve thermal management and reliability.
  • Luft- und Raumfahrt : Used in high-temperature, high-reliability electronic systems as substrates to support critical components.

Materialeigenschaften von Aluminiumnitrid

Eigentum

Einheit

HMAN1000

HMAN2000

HMAN3000

HMAN4000

HMAN1000S

Dichte

g/cm3

3.32

3.32

3.32

3.30

3.30

Elastizitätsmodul

GPa

 300-350

300-350

300-350

300-350

350

Bruchzähigkeit KIC

MPa m1/2

3

3

3

2.5

3

Querkontraktionszahl

 0.22

0.22

0.22

0.22

0.22

Druckfestigkeit

MPa

3000

3000

3000

3000

3000

Biegefestigkeit @ 25°C

MPa

350

350

350

350

350

Härte

GPa

10

10

10

12

11

Eigentum

Einheit

HMAN1000

HMAN2000

HMAN3000

HMAN4000

HMAN1000S

Wärmeleitfähigkeit @ 25°C

W/mK

170

200

230

200

170

CTE 25°C ➞ 400°C

10-6/K

4.5

4.5

4.5

3.5

4.6

Maximale Temperatur (Luft)

°C

1200

1200

1200

1200

1200

Maximale Temperatur (inert)

°C

1200

1200

1200

1200

1200

Eigentum

Einheit

HMAN1000

HMAN2000

HMAN3000

HMAN4000

HMAN1000S

Dielektrizitätskonstante

1 MHz

8.8

8.8

8.5

8.5

8.8

Dielektrischer Verlust

1 MHz

5×10-4

5×10-4

5×10-4

5×10-4

5×10-4

Durchschlagfestigkeit DC @ 25°C

kV/mm

15

15

15

15

14

Volumenwiderstand @ 25°C

ohm-cm

 >1013

>1013

>1013

 >1014

 >1014

Grades of aluminum nitride material

HMAN1000 ist unser Standardmaterial aus hochreinem Aluminiumnitrid mit einer Wärmeleitfähigkeit von 170 W/mK. Es hat die gleiche Wärmeleitfähigkeit wie unser Trägermaterial, bietet aber die Möglichkeit, größere Stücke in Länge/Breite und in Dicken bis zu 30 mm herzustellen.
HMAN1000 hat einen guten Wärmeausdehnungskoeffizienten, der über weite Temperaturbereiche mit dem von Silizium und Galliumnitrid vergleichbar ist.

HMAN100 Anwendungen:

  • Hochleistungs-Isolatoren
  • Laser-Komponenten
  • Wassergekühlte Kühlkörper
  • Leistungselektronik
  • Komponenten für Luft- und Raumfahrt, Medizintechnik und Halbleiter

HMAN1000S 170 W/mK ist unser Standard-Substratmaterial mit hoher Wärmeleitfähigkeit. Es sind jedoch auch andere Hochleistungsqualitäten erhältlich.

HMAN1000S Anwendungen:

  • Wärmesenken
  • Wärmespreizer
  • Laser-Kühlkörper Leistungsgleichrichter
  • Luft- und Raumfahrt, Leistungselektronik, Gleichrichter

HMAN2000 ist eine unserer verbesserten Aluminiumnitridqualitäten, die alle mechanischen Eigenschaften von HMAN1000 mit dem zusätzlichen Vorteil einer Wärmeleitfähigkeit von 200 W/mK bietet.

HMAN2000-Anwendungen:

  • Wärmesenken
  • Wärmespreizer
  • Laser-Kühlkörper Leistungsgleichrichter
  • Luft- und Raumfahrt, Leistungselektronik, Gleichrichter

HMAN3000 ist eine unserer verbesserten Aluminiumnitridqualitäten, die alle mechanischen Eigenschaften von HMAN1000 mit dem zusätzlichen Vorteil einer Wärmeleitfähigkeit von 230 W/mK bietet.

HMAN3000 Anwendungen:

  • Wärmesenken
  • Wärmespreizer
  • Laser-Kühlkörper Leistungsgleichrichter
  • Luft- und Raumfahrt, Leistungselektronik, Gleichrichter

HMAN4000 ist eine unserer verbesserten Aluminiumnitridqualitäten, die alle mechanischen Eigenschaften von HMAN1000 mit dem zusätzlichen Vorteil einer Wärmeleitfähigkeit von 200 W/mK bietet.

HMAN4000 Anwendungen:

  • Wärmesenken
  • Wärmespreizer
  • Laser-Kühlkörper Leistungsgleichrichter
  • Luft- und Raumfahrt, Leistungselektronik, Gleichrichter

Machining of aluminum nitride ceramic

Keramik-Bearbeitung HM

Machining aluminum nitride (AlN) ceramics is a precision process used to manufacture high-performance components from aluminum nitride materials. Machining aluminum nitride ceramics requires specialized equipment and techniques to address their brittleness and hardness. Proper tooling and controlled environments are essential to prevent material damage and achieve the desired surface finish and dimensional accuracy. Common machining methods include:

  • Diamond cutting:  Diamantwerkzeuge werden zur Erzielung feiner Präzision und glatter Oberflächen verwendet und sind ideal für komplexe Formen.
  • Laser cutting:  Ein berührungsloses Verfahren für komplizierte Formen, mit hoher Präzision und minimaler thermischer Belastung.
  • Precision grinding:  Used to achieve fine tolerances and surface finishes. Requires special care to prevent cracking or chipping due to the fragility of ceramics.
  • Wire electrical discharge machining (EDM):  A method often used for intricate cuts, especially for fine and complex geometries.

Aluminiumnitrid-Keramik-Verpackungen

Aluminiumnitrid-Keramikprodukte werden in der Regel in vakuumversiegelten Beuteln verpackt, um Feuchtigkeit oder Verunreinigungen zu vermeiden, und mit Schaumstoff umwickelt, um Erschütterungen und Stöße während des Transports zu dämpfen und die Qualität der Produkte in ihrem ursprünglichen Zustand zu gewährleisten.

Keramikprodukte Verpackung HM

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Wir werden das prüfen und uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden.

To customize your aluminum nitride sputtering target, please pTo customize your aluminum nitride substrate, please provide us with the following information:

  1. Abmessungen : Länge, Breite, Dicke, etc.
  2. Anforderungen an Löcher/Schlitze : Geben Sie die Größe und Position von Löchern und Schlitzen oder anderen Merkmalen an.
  3. Toleranzen : Geben Sie die erforderlichen Toleranzen an.
  4. Reinheit  des Materials
  5. Anforderungen an die Temperatur : Geben Sie die maximale Betriebstemperatur an.
  6. Elektrische Eigenschaften : Isolationswiderstand, Durchschlagfestigkeit, usw.
  7. Anmeldung : Bitte geben Sie die vorgesehene Anwendung oder Branche an, um den spezifischen Typ zu bestimmen.
  8. Oberflächenbeschaffenheit : Poliert, rau, etc.
  9. Menge  der von Ihnen benötigten Produkte
  10. Alternativ können Sie auch eine  Zeichnung  mit Ihren Spezifikationen.

Sobald wir diese Informationen haben, können wir Ihnen innerhalb von 24 Stunden ein Angebot unterbreiten.

Wir haben eine Vielzahl von Bornitridprodukten auf Lager, für die in der Regel keine Mindestbestellmenge erforderlich ist. Für kundenspezifische Aufträge setzen wir jedoch in der Regel einen Mindestbestellwert von $200 fest. Die Vorlaufzeit für Lagerartikel beträgt in der Regel 1-2 Wochen, während Sonderanfertigungen in der Regel 3-4 Wochen dauern, je nach den Besonderheiten des Auftrags.

The aluminum nitride substrate offers 8 to 10 times better heat dissipation than alumina substrate , allowing for higher power density and reliability in electronics.

Bare polishing, thin film metallization (Au/Ag/Cu) or thick film printing.

Advanced Ceramic Hub wurde 2016 in Colorado, USA, gegründet und ist ein spezialisierter Anbieter und Hersteller von Graphenprodukten. Mit umfangreichem Fachwissen im Bereich Lieferung und Export bieten wir wettbewerbsfähige Preise und maßgeschneiderte Lösungen, die auf spezifische Anforderungen zugeschnitten sind und hervorragende Qualität und Kundenzufriedenheit gewährleisten. Als professioneller Anbieter von Keramik, hochschmelzenden Metallen, Speziallegierungen, kugelförmigen Pulvern und verschiedenen hochentwickelten Materialien bedienen wir die Bedürfnisse von Forschung, Entwicklung und großindustrieller Produktion in Wissenschaft und Industrie.

Aluminiumnitrid-Substrat

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