Aluminiumnitrid-Sputtering-Target

Aluminum Nitride Sputtering Target HM

Aluminiumnitrid-Sputtering-Target

Reinheit: 95%-99%

  • Kundenspezifische Größen und Standardgrößen auf Lager
  • Konkurrenzfähiger Preis
  • Schnelle Vorlaufzeit
  • Aluminum Nitride Sputtering Target is made from high-purity aluminum oxide with uniform composition and dense structure, widely used in thin film deposition and the semiconductor industry. As a leading supplier and manufacturer of premium aluminum nitride products, we can supply high-quality aluminum nitride sputtering targets with various specifications and competitive prices, offering customized solutions to meet specific requirements.

Oder senden Sie uns eine E-Mail an sales@heegermaterials.com.

Aluminum Nitride Sputtering Target Data Sheet

Referenz-Code:

HMST457

Reinheit:

99.5%-99.9%

Die Dichte:

3.26 g/cm3

Erscheinungsbild:

Bluish White, Crystalline Solid

Die Form:

Rectangular, Disc, or Tube

Bonding Service:

Unbonding, or Bonding

Schmelzpunkt:

>2200℃

Z Ratio:

1.00

Sputter:

RF-R

Max Power Density:

20 W/in²

Aluminiumnitrid-Sputtering-Target

Aluminum Nitride (AlN) Sputtering Target is a high-performance ceramic sputtering target material, featuring exceptional thermal conductivity, electrical resistivity, and hardness. Its uniform composition and dense structure make it ideal for producing smooth, defect-free films through magnetron sputtering or ion beam deposition. They are widely used in microelectronics, optoelectronics, and photovoltaics. Advanced Keramik Hub can provide customized solutions in terms of purity, size, density, and other parameters to meet diverse industrial and research applications.

Aluminum Nitride Sputtering Target Specifications

ircular Sputtering Targets

Durchmesser

1.0″
2.0″
3.0″
4.0″
5.0″
6.0″
up to 21″

Rechteckige Sputtering-Targets

Breite x Länge

5” x 12″
5” x 15″
5” x 20″
5” x 22″
6” x 20″

Dicke

0.125″, 0.25″

Aluminum Nitride Sputtering Target Features

  • High purity and density
  • Low particle
  • Uniform film thickness distribution
  • High efficiency in the use

Aluminum Nitride Sputtering Target Applications

  • Halbleiterindustrie: The aluminum nitride (AlN) sputtering target is commonly used in thin-film deposition for insulating and passivation layers and as a buffer layer in GaN-based devices (e.g., HEMTs).
  • Optoelectronics: The aluminum nitride (AlN) sputtering target is the key material for UV LEDs and laser diodes due to its wide bandgap (6.2 eV) and transparency to ultraviolet light.
  • Acoustic Wave Devices: Deposited as piezoelectric films for surface acoustic wave (SAW) and bulk acoustic wave (BAW) sensors/resonators in 5G/6G filters.
  • Protective Coatings: The aluminum nitride (AlN) sputtering target can provide wear-resistant and thermally stable coatings for aerospace/components.
  • Thermisches Management: High thermal conductivity (~320 W/m·K) makes it ideal for heat dissipation in high-power electronics.

Aluminum Nitride Sputtering Target Quality Control

composition ananlysis icon

Raw Material Composition Analysis

Impurities are analyzed using ICP and GDMS for metals, and carbon-sulfur and nitrogen-oxygen analyzers for non-metals, ensuring purity meets required standards.

Metallographic Inspection Icon

Metallographic Inspection

Detection equipment is used to inspect the target material for internal defects or shrinkage holes, while metallographic testing ensures the grain structure is fine and dense.

dimension checking icon

Appearance and Dimensional Inspection

Micrometers and calipers measure dimensions, while a cleanliness instrument checks surface smoothness and cleanliness.

Materialeigenschaften von Aluminiumnitrid

Eigentum

Einheit

HMAN1000

HMAN2000

HMAN3000

HMAN4000

HMAN1000S

Dichte

g/cm3

3.32

3.32

3.32

3.30

3.30

Elastizitätsmodul

GPa

 300-350

300-350

300-350

300-350

350

Bruchzähigkeit KIC

MPa m1/2

3

3

3

2.5

3

Querkontraktionszahl

 0.22

0.22

0.22

0.22

0.22

Druckfestigkeit

MPa

3000

3000

3000

3000

3000

Biegefestigkeit @ 25°C

MPa

350

350

350

350

350

Härte

GPa

10

10

10

12

11

Eigentum

Einheit

HMAN1000

HMAN2000

HMAN3000

HMAN4000

HMAN1000S

Wärmeleitfähigkeit @ 25°C

W/mK

170

200

230

200

170

CTE 25°C ➞ 400°C

10-6/K

4.5

4.5

4.5

3.5

4.6

Maximale Temperatur (Luft)

°C

1200

1200

1200

1200

1200

Maximale Temperatur (inert)

°C

1200

1200

1200

1200

1200

Eigentum

Einheit

HMAN1000

HMAN2000

HMAN3000

HMAN4000

HMAN1000S

Dielektrizitätskonstante

1 MHz

8.8

8.8

8.5

8.5

8.8

Dielektrischer Verlust

1 MHz

5×10-4

5×10-4

5×10-4

5×10-4

5×10-4

Durchschlagfestigkeit DC @ 25°C

kV/mm

15

15

15

15

14

Volumenwiderstand @ 25°C

ohm-cm

 >1013

>1013

>1013

 >1014

 >1014

Aluminiumnitrid-Werkstoffklassen

HMAN1000 ist unser Standardmaterial aus hochreinem Aluminiumnitrid mit einer Wärmeleitfähigkeit von 170 W/mK. Es hat die gleiche Wärmeleitfähigkeit wie unser Trägermaterial, bietet aber die Möglichkeit, größere Stücke in Länge/Breite und in Dicken bis zu 30 mm herzustellen.
HMAN1000 hat einen guten Wärmeausdehnungskoeffizienten, der über weite Temperaturbereiche mit dem von Silizium und Galliumnitrid vergleichbar ist.

HMAN100 Anwendungen:

  • Hochleistungs-Isolatoren
  • Laser-Komponenten
  • Wassergekühlte Kühlkörper
  • Leistungselektronik
  • Komponenten für Luft- und Raumfahrt, Medizintechnik und Halbleiter

HMAN1000S 170 W/mK ist unser Standard-Substratmaterial mit hoher Wärmeleitfähigkeit. Es sind jedoch auch andere Hochleistungsqualitäten erhältlich.

HMAN1000S Anwendungen:

  • Wärmesenken
  • Wärmespreizer
  • Laser-Kühlkörper Leistungsgleichrichter
  • Luft- und Raumfahrt, Leistungselektronik, Gleichrichter

HMAN2000 ist eine unserer verbesserten Aluminiumnitridqualitäten, die alle mechanischen Eigenschaften von HMAN1000 mit dem zusätzlichen Vorteil einer Wärmeleitfähigkeit von 200 W/mK bietet.

HMAN2000-Anwendungen:

  • Wärmesenken
  • Wärmespreizer
  • Laser-Kühlkörper Leistungsgleichrichter
  • Luft- und Raumfahrt, Leistungselektronik, Gleichrichter

HMAN3000 ist eine unserer verbesserten Aluminiumnitridqualitäten, die alle mechanischen Eigenschaften von HMAN1000 mit dem zusätzlichen Vorteil einer Wärmeleitfähigkeit von 230 W/mK bietet.

HMAN3000 Anwendungen:

  • Wärmesenken
  • Wärmespreizer
  • Laser-Kühlkörper Leistungsgleichrichter
  • Luft- und Raumfahrt, Leistungselektronik, Gleichrichter

HMAN4000 ist eine unserer verbesserten Aluminiumnitridqualitäten, die alle mechanischen Eigenschaften von HMAN1000 mit dem zusätzlichen Vorteil einer Wärmeleitfähigkeit von 200 W/mK bietet.

HMAN4000 Anwendungen:

  • Wärmesenken
  • Wärmespreizer
  • Laser-Kühlkörper Leistungsgleichrichter
  • Luft- und Raumfahrt, Leistungselektronik, Gleichrichter

Machining of aluminum nitride ceramic

Keramik-Bearbeitung HM

Machining aluminum nitride (AlN) ceramics is a precision process used to manufacture high-performance components from aluminum nitride materials. Machining aluminum nitride ceramics requires specialized equipment and techniques to address their brittleness and hardness. Proper tooling and controlled environments are essential to prevent material damage and achieve the desired surface finish and dimensional accuracy. Common machining methods include:

  • Diamond cutting:  Diamantwerkzeuge werden zur Erzielung feiner Präzision und glatter Oberflächen verwendet und sind ideal für komplexe Formen.
  • Laser cutting:  Ein berührungsloses Verfahren für komplizierte Formen, mit hoher Präzision und minimaler thermischer Belastung.
  • Precision grinding:  Used to achieve fine tolerances and surface finishes. Requires special care to prevent cracking or chipping due to the fragility of ceramics.
  • Wire electrical discharge machining (EDM):  A method often used for intricate cuts, especially for fine and complex geometries.

Aluminiumnitrid-Keramik-Verpackungen

Aluminiumnitrid-Keramikprodukte werden in der Regel in vakuumversiegelten Beuteln verpackt, um Feuchtigkeit oder Verunreinigungen zu vermeiden, und mit Schaumstoff umwickelt, um Erschütterungen und Stöße während des Transports zu dämpfen und die Qualität der Produkte in ihrem ursprünglichen Zustand zu gewährleisten.

Keramikprodukte Verpackung HM

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Wir werden das prüfen und uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden.

To customize your aluminum nitride sputtering target, please provide the following details:

  1. Abmessungen: Länge, Breite, Durchmesser, Dicke, usw.
  2. Form: Rechteckig, rund, oder Rohr.
  3. Toleranzen: Geben Sie die erforderlichen Toleranzen an.
  4. Reinheit des Sputtertargets
  5. Anmeldung: Geben Sie den Verwendungszweck oder die Branche an.
  6. Gegenhalteplatte: Falls eine Verklebung erforderlich ist, geben Sie bitte das Material und die Abmessungen der Trägerplatte an.
  7. Menge der von Ihnen benötigten Produkte
  8. Alternativ können Sie auch eine Zeichnung mit Ihren Spezifikationen.

Sobald wir diese Angaben haben, können wir Ihnen innerhalb von 24 Stunden ein Angebot unterbreiten.

Wir haben eine Vielzahl von Bornitridprodukten auf Lager, für die in der Regel keine Mindestbestellmenge erforderlich ist. Für kundenspezifische Aufträge setzen wir jedoch in der Regel einen Mindestbestellwert von $200 fest. Die Vorlaufzeit für Lagerartikel beträgt in der Regel 1-2 Wochen, während Sonderanfertigungen in der Regel 3-4 Wochen dauern, je nach den Besonderheiten des Auftrags.

Purity, Density, Target Composition, and specific application requirements.

They are manufactured through a process of high-temperature sintering, followed by precision machining to meet specific size and purity requirements.

Advanced Ceramic Hub wurde 2016 in Colorado, USA, gegründet und ist ein spezialisierter Anbieter und Hersteller von Graphenprodukten. Mit umfangreichem Fachwissen im Bereich Lieferung und Export bieten wir wettbewerbsfähige Preise und maßgeschneiderte Lösungen, die auf spezifische Anforderungen zugeschnitten sind und hervorragende Qualität und Kundenzufriedenheit gewährleisten. Als professioneller Anbieter von Keramik, hochschmelzenden Metallen, Speziallegierungen, kugelförmigen Pulvern und verschiedenen hochentwickelten Materialien bedienen wir die Bedürfnisse von Forschung, Entwicklung und großindustrieller Produktion in Wissenschaft und Industrie.

Aluminiumnitrid-Sputtering-Target

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