Sustrato de cristal de circonio estabilizado con itria

Hoja de datos del sustrato de cristal de circonio estabilizado con itria

Estructura cristalina	Cúbico
Constante de red	a = 5,147 Å
Punto de fusión (℃)	2700
Densidad (g/cm³)	6.0
Dureza (Mohs)	8-8.5
Pureza	99.99%
Coeficiente de dilatación térmica (/℃)	10.3 × 10-⁶
Constante dieléctrica (ε)	27
Método de crecimiento	Método de fusión por arco

Sustrato de cristal de circonio estabilizado con itria Descripción

El sustrato de cristal de circonio estabilizado con itria proporciona una plataforma robusta y estable para dispositivos electrónicos y energéticos avanzados. Su excepcional conductividad iónica y resistencia a la corrosión química lo hacen ideal para su uso en pilas de combustible de óxido sólido, sensores de oxígeno y otras aplicaciones electroquímicas de alta temperatura. A diferencia de las cerámicas policristalinas, la estructura monocristalina garantiza unas propiedades térmicas y mecánicas uniformes sin defectos en los límites de grano. La adición de itria no sólo estabiliza la fase de circonio, sino que también mejora la resistencia al choque térmico, lo que convierte a este sustrato en una opción fiable para sistemas de precisión que funcionan en condiciones extremas.

Especificaciones del sustrato de cristal de circonio estabilizado con itria

Dimensiones	5×5, 10×3, 10×5, 10×10, 15×15, 20×15, 20×20, 25×25 o personalizado
	ø 2" x 0,33 mm, ø 2" x 0,43 mm, ø 2" x 0,5 mm, o personalizado
Espesor	0,5 mm, 1,0 mm o personalizado
Pulido	Una cara o dos caras
Orientación de los cristales	± 0.5°
Precisión de orientación del plano de cristal	± 0.5°
Orientación de cantos Precisión	2° (los requisitos especiales pueden lograrse en 1°)
Ángulo de corte (Off-Axis Wafers)	Puede procesarse a medida para una orientación específica de los bordes con ángulos de inclinación que van de 1° a 45°.
Rugosidad superficial (Ra)	≤ 5 Å (5 µm × 5 µm)

Características del sustrato de cristal de circonio estabilizado con itria

• Excelente conductividad iónica: Permite un transporte eficaz de iones de oxígeno, por lo que es ideal para dispositivos electroquímicos de alta temperatura.
• Estabilidad térmica y química superior: Permanece estable en medios oxidantes y reductores a temperaturas superiores a 1000°C.
• Sin límites de grano: La estructura monocristalina elimina los defectos de los límites de grano, garantizando un rendimiento uniforme.
• Bajo desajuste de dilatación térmica: Compatible con diversos materiales de electrodos, lo que reduce el estrés térmico durante el funcionamiento.
• Alta resistencia mecánica: Soporta ciclos térmicos y cargas mecánicas en entornos exigentes.

Aplicaciones del sustrato de óxido de circonio estabilizado con itria

• Pilas de combustible de óxido sólido (SOFC): Sirven como electrolito o soporte anódico debido a su alta conductividad iónica y estabilidad.
• Sondas Lambda: Se utiliza en sensores industriales y de automoción para la detección precisa del nivel de oxígeno.
• Electrónica de alta temperatura: Actúa como sustrato fiable para semiconductores sometidos a estrés térmico.
• Dispositivos láser y fotónicos: Funcionan como base estable para revestimientos ópticos y reflectores láser.
• Componentes de aislamiento al vacío: Ideal para su uso en sistemas de ultra alto vacío gracias a su baja permeabilidad a los gases.