Aluminium-Siliziumkarbid-IGBT-Substrat

Aluminium-Siliziumkarbid-IGBT-Substrat Datenblatt

Chemische Formel:	Al-SiC
Die Form:	Substrat
Dimension:	Standard oder kundenspezifisch

Aluminium-Siliziumkarbid-IGBT-Substrat Beschreibung

Das Aluminium-Siliziumkarbid-IGBT-Substrat wurde entwickelt, um die für anspruchsvolle Anwendungen in der Leistungselektronik erforderliche hervorragende thermische Leistung und mechanische Beständigkeit zu gewährleisten. Durch die Kombination der ausgezeichneten Wärmeleitung von Aluminium mit der hohen Härte und geringen Wärmeausdehnung von Siliziumkarbid kann dieses Substrat die in IGBT-Modulen erzeugte Wärme effektiv ableiten, Überhitzung verhindern und die Effizienz verbessern. Seine robuste Struktur verbessert auch die Widerstandsfähigkeit gegenüber Temperaturschwankungen und mechanischer Beanspruchung und gewährleistet eine langfristige Betriebsstabilität.

Aluminium-Siliziumkarbid-Material Chemische Zusammensetzung

Technologie	Material-Referenz-Code	Volumen Bruchteil		Leistungsvorteile	Bewerbung Wegbeschreibung
		SiC (%)	Al (%)
RSPM + HIP (Schnelle Erstarrung + HIP)	HMA15	15	85	✔ Hohe spezifische Festigkeit und Steifigkeit ✔ Geringe Dichte ✔ Ausgezeichnete Verschleißfestigkeit ✔ gute Hitzebeständigkeit	✔ Leichte und verschleißfeste Komponenten ✔ Alternative zu Aluminiumlegierungen, Stahlguss, Gusseisen und Titanlegierungen ✔Bremskomponenten, Kolben, Pleuelstangen, Bauchflossen von Kampfflugzeugen, Schmiedeteile für Hubschrauberrotoren
	HMA30	30	70
	HMA40	40	60	✔ Hohe spezifische Festigkeit und Steifigkeit ✔ Hohe Mikrodehnungsfestigkeit ✔ Geringe thermische Ausdehnung ✔ Hohe Wärmeleitfähigkeit	✔ Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungsanwendungen ✔ Optische Spiegel, Komponenten des Trägheitsnavigationssystems ✔Alternative zu Beryllium, Glaskeramik, Quarzglas
	HMA50	50	50
Druckinfiltration (PI)	HMA55	55	45	✔ Hoher spezifischer Modul ✔ Geringe Dichte ✔ Geringe thermische Ausdehnung ✔ Hohe Wärmeleitfähigkeit	✔Wärmemanagement-Materialien für militärische und zivile Zwecke IGBT-Substrate für militärische Zwecke, PCB-Substrate, Grundplatten für die Wärmeableitung ✔ Gehäuse und Sockel für elektronische Bauteile, Gehäuse und Sockel für Leistungsverstärkermodule ✔Alternative zu W/Cu, Mo/Cu, Kovar-Legierungen
	HMA65	65	35
	HMA70	70	30

Aluminium-Siliziumkarbid-IGBT-Substrat Merkmale

• Hohe Wärmeleitfähigkeit: Leitet die von den IGBT-Modulen erzeugte Wärme effizient ab, um optimale Betriebstemperaturen zu gewährleisten.
• Niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient: Minimiert die thermische Belastung und gewährleistet die Formstabilität bei Temperaturschwankungen.
• Ausgezeichnete mechanische Festigkeit: Bietet Haltbarkeit und Widerstandsfähigkeit gegen mechanische Verformung bei Temperaturschwankungen.
• Leichte Struktur: Kombiniert die Leichtigkeit von Aluminium mit der Stärke von Siliziumkarbid für eine einfache Integration ohne übermäßiges Gewicht.
• Anpassbar Abmessungen: Erhältlich in verschiedenen Größen und Dicken, um spezifische Anwendungsanforderungen zu erfüllen.

Aluminium-Siliziumkarbid-IGBT-Substrat Anwendungen

• Leistungselektronik-Module: Wird als Basismaterial für IGBT-Module in Wechselrichtern, Umrichtern und Motorantrieben verwendet, um eine effiziente Wärmeableitung zu gewährleisten.
• Erneuerbare Energiesysteme: Unverzichtbar in Solarwechselrichtern und Windturbinenumrichtern für ein zuverlässiges Wärmemanagement.
• Elektrisch betriebene Fahrzeuge: Unterstützt Hochleistungs-IGBT-Module in elektrischen Fahrzeugantrieben für verbesserte Leistung und Haltbarkeit.
• Industrielle Automatisierung: Anwendung in Servoantrieben und industriellen Steuerungen, die eine stabile thermische Leistung erfordern.
• Eisenbahn und Transport: Wird in Antriebsumrichtern und Leistungssteuergeräten verwendet, um hohe thermische Belastungen und mechanische Beanspruchungen zu bewältigen.