Aluminiumnitrid-Substrat

Aluminiumnitrid-Substrat

Das Aluminiumnitrid-Substrat (AlN) besteht aus hochreiner Aluminiumnitrid-Keramik. Es bietet ein effizientes Wärmemanagement in Hochtemperaturumgebungen, einen geringen dielektrischen Verlust und eine ausgezeichnete Temperaturwechselbeständigkeit. Fortschrittlich Keramik Hub Wir bieten Massenformung und kundenspezifische Einzelstückoptionen an, um die verschiedensten Anforderungen von Industrie und Forschung zu erfüllen, mit flexibler und schneller Anpassung von Produktgröße und -umfang.

Eigenschaften von Aluminiumnitrid-Substraten

Artikel		Einheit	AlN-170	AlN-190	AlN-200	AlN-230
Dichte		g/cm3	3.3	3.3	3.28	3.3
Schmelzpunkt		℃	2500	2500	—	—
Oberflächenrauhigkeit		μm	0.2～0.6	0.3~0.5	0.2~0.5	0.2~0.6
Thermische	Wärmeleitfähigkeit	25℃ W/(m.k)	170-190	190-210	204	233
	Koeffizient der thermischen Ausdehnung	20～300℃ (10-6/℃)	4.6	4.6	4.0-5.0	4.0-5.0
Elektrisch	Dielektrizitätskonstante	1 MHz, 25℃	8.56	8.56	—	—
	Dielektrischer Verlust	1 MHz, 25℃	4.6×10-4	4.6×10-4	—	—
	Durchgangswiderstand	20℃.Ω.cm	1.4×1014	1.4×1014	>1014	>1014
	Dielektrische Festigkeit	KV/mm	≥15	≥15	>20	>20
Mechanisch	Biegefestigkeit	Mpa	300-400	300-400	350	300
	Elastischer Modul	GPa	310-320	310-320	—	—
	Verzug	~/25(Länge)	≤3‰	≤3‰	≤3‰	≤3‰

Aluminiumnitrid-Substrat Standardspezifikationen

Produkt	Dicke	Länge und Breite
170W Standardprodukt	0,381 mm	4×4 Zoll (101,6×101,6 mm) 4,5×4,5 Zoll (114,3×114,3 mm) 120×120 mm 5×5 Zoll (127×127 mm) 5,5×7,5 Zoll (139,7×190,5 mm)
	0,5 mm
	0,635 mm
	1,0 mm
	1,5 mm
170W Nicht-Standardprodukt	0,1~0,2 mm	2×2 Zoll (50,8×50,8 mm)
	0,2~0,3 mm	2×2 Zoll (50,8×50,8 mm) 3×3 Zoll (76,2×76,2 mm) 4×4 Zoll (101,6×101,6 mm) 4,5×4,5 Zoll (114,3×114,3 mm)
	2,0~3,0 mm
	1,0~3,0 mm	150 mm, 200 mm, 300 mm
200W	(0,3~0,38)±0,01 mm	4,5×4,5 Zoll (114,3×114,3 mm)
230W	(0,3~0,38)±0,01 mm	4,5×4,5 Zoll (114,3×114,3 mm)

Vorteile von Aluminiumnitrid-Substraten

• Mehr als die 7-fache Wärmeleitfähigkeit von Aluminiumoxid.
• Der Wärmeausdehnungskoeffizient liegt nahe bei dem von Silizium, was eine hohe Zuverlässigkeit bei der Montage großer Siliziumchips und eine hohe Temperaturwechselbeständigkeit gewährleistet.
• Hervorragende elektrische Isolierung mit einer niedrigen Dielektrizitätskonstante.
• Überlegene mechanische Festigkeit im Vergleich zu Tonerde.
• Ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit gegenüber geschmolzenen Metallen.
• Minimaler Gehalt an Verunreinigungen, ungiftig und hochrein.

Anwendungen von Aluminiumnitrid-Substraten

• Elektronikindustrie: Sie werden als Substrate für elektronische Hochleistungsgeräte (z. B. Leistungsmodule, IGBTs und MOSFETs) verwendet und bieten eine hervorragende Wärmeableitung und elektrische Isolierung.
• LED-Verpackungen: Sie werden als Substrate für LED-Chips verwendet und nutzen die hohe Wärmeleitfähigkeit, um die Wärmeableitung zu verbessern und die Lebensdauer der Geräte zu verlängern.
• Mikrowellen und RF: Aufgrund ihres geringen dielektrischen Verlusts und ihrer hohen thermischen Stabilität werden sie in Mikrowellenschaltungen und HF-Geräten als Substrate verwendet.
• Kfz-Elektronik: Anwendung in Leistungswandlern und Steuermodulen von Elektrofahrzeugen zur Verbesserung des Wärmemanagements und der Zuverlässigkeit.
• Luft- und Raumfahrt: Einsatz in elektronischen Systemen mit hohen Temperaturen und hoher Zuverlässigkeit als Trägermaterial für kritische Komponenten