Elektrostatisches Aluminiumnitrid-Futter
Elektrostatisches Aluminiumnitrid-Futter
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Aluminum Nitride Electrostatic Chuck Sheet
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Referenz-Code: |
HM2085 |
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Die Dichte: |
3.3 g/cm3 |
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Erscheinungsbild: |
Greyish White, Beige |
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Wärmeleitfähigkeit: |
170-230 W/m·K |
Elektrostatisches Aluminiumnitrid-Futter
Aluminum Nitride Electrostatic Chuck (AlN ESC) is an advanced component designed to securely hold semiconductor wafers and substrates during various high-precision manufacturing processes. It offers excellent thermal conductivity, strong mechanical strength, and resistance to plasma erosion. Their electrostatic chucking capability ensures reliable wafer clamping without physical contact, reducing contamination risks and improving process efficiency. It is mainly used in semiconductor wafer processing, thin film deposition, and etching. Advanced Keramik Hub can provide customized solutions in various specifications to meet diverse industrial and research applications.
Aluminum Nitride Electrostatic Chuck Applications
- Halbleiterherstellung: Aluminum Nitride Electrostatic Chucks (AlN ESCs) are widely used in semiconductor wafer processing, particularly in etching and chemical vapor deposition (CVD) processes. The high thermal conductivity of AlN helps maintain temperature stability, while the electrostatic chucking capability ensures the wafer is securely held in place without mechanical contact.
- Thin Film Deposition: In thin film deposition processes, such as sputtering or evaporation, AlN ESCs are used to stabilize the substrate and control its temperature. The electrostatic chucking helps ensure uniform deposition, leading to high-quality thin films.
- Feinmechanische Bearbeitung: AlN ESCs are used in precision machining and microelectronics, where a high level of control over the substrate’s position and temperature is essential.
- Plasma Etching: During plasma etching, AlN ESCs are used to hold substrates in place while ensuring that heat dissipation is efficient. This improves the quality of etching and protects the substrate from damage.
- LED and Solar Cell Manufacturing: AlN ESCs are used in producing light-emitting diodes (LEDs) and solar cells, where precise temperature control is crucial for optimizing the quality and performance of these devices.
Plasma Implantation Equipment (IMP)
Plasma Etching Equipment (ETCH)
PVD Equipment
CVD Equipment
Materialeigenschaften von Siliziumnitrid
Siliziumnitrid-Sorten
HMAN1000 ist unser Standardmaterial aus hochreinem Aluminiumnitrid mit einer Wärmeleitfähigkeit von 170 W/mK. Es hat die gleiche Wärmeleitfähigkeit wie unser Trägermaterial, bietet aber die Möglichkeit, größere Stücke in Länge/Breite und in Dicken bis zu 30 mm herzustellen.
HMAN1000 hat einen guten Wärmeausdehnungskoeffizienten, der über weite Temperaturbereiche mit dem von Silizium und Galliumnitrid vergleichbar ist.
HMAN100 Anwendungen:
- Hochleistungs-Isolatoren
- Laser-Komponenten
- Wassergekühlte Kühlkörper
- Leistungselektronik
- Komponenten für Luft- und Raumfahrt, Medizintechnik und Halbleiter
HMAN1000S 170 W/mK ist unser Standard-Substratmaterial mit hoher Wärmeleitfähigkeit. Es sind jedoch auch andere Hochleistungsqualitäten erhältlich.
HMAN1000S Anwendungen:
- Wärmesenken
- Wärmespreizer
- Laser-Kühlkörper Leistungsgleichrichter
- Luft- und Raumfahrt, Leistungselektronik, Gleichrichter
HMAN2000 ist eine unserer verbesserten Aluminiumnitridqualitäten, die alle mechanischen Eigenschaften von HMAN1000 mit dem zusätzlichen Vorteil einer Wärmeleitfähigkeit von 200 W/mK bietet.
HMAN2000-Anwendungen:
- Wärmesenken
- Wärmespreizer
- Laser-Kühlkörper Leistungsgleichrichter
- Luft- und Raumfahrt, Leistungselektronik, Gleichrichter
HMAN3000 ist eine unserer verbesserten Aluminiumnitridqualitäten, die alle mechanischen Eigenschaften von HMAN1000 mit dem zusätzlichen Vorteil einer Wärmeleitfähigkeit von 230 W/mK bietet.
HMAN3000 Anwendungen:
- Wärmesenken
- Wärmespreizer
- Laser-Kühlkörper Leistungsgleichrichter
- Luft- und Raumfahrt, Leistungselektronik, Gleichrichter
HMAN4000 ist eine unserer verbesserten Aluminiumnitridqualitäten, die alle mechanischen Eigenschaften von HMAN1000 mit dem zusätzlichen Vorteil einer Wärmeleitfähigkeit von 200 W/mK bietet.
HMAN4000 Anwendungen:
- Wärmesenken
- Wärmespreizer
- Laser-Kühlkörper Leistungsgleichrichter
- Luft- und Raumfahrt, Leistungselektronik, Gleichrichter
Siliziumnitrid-Keramik-Bearbeitung
Die Keramikbearbeitung von Aluminiumnitrid (AlN) ist ein präzises Verfahren zur Herstellung von Hochleistungskomponenten aus Aluminiumnitridwerkstoffen. Die Bearbeitung von Aluminiumnitridkeramik erfordert spezielle Geräte und Techniken, um die Sprödigkeit und Härte des Materials zu bewältigen. Geeignete Werkzeuge und kontrollierte Umgebungen sind unerlässlich, um Materialschäden zu vermeiden und die gewünschte Oberflächengüte und Maßgenauigkeit zu erreichen. Die üblichen Bearbeitungsmethoden sind folgende:
- Diamantschneiden: Diamantwerkzeuge werden zur Erzielung feiner Präzision und glatter Oberflächen verwendet und sind ideal für komplexe Formen.
- Laserschneiden: Ein berührungsloses Verfahren für komplizierte Formen, mit hoher Präzision und minimaler thermischer Belastung.
- Präzisionsschleifen: Wird verwendet, um feine Toleranzen und Oberflächengüten zu erzielen. Erfordert besondere Sorgfalt, um aufgrund der Sprödigkeit der Keramik Risse oder Abplatzungen zu vermeiden.
- Drahterodieren (Electrical Discharge Machining): Ein Verfahren, das häufig für komplizierte Schnitte verwendet wird, insbesondere für dünne und komplexe Geometrien.
Aluminiumnitrid-Keramik-Verpackungen
Aluminiumnitrid-Keramikprodukte werden in der Regel in vakuumversiegelten Beuteln verpackt, um Feuchtigkeit oder Verunreinigungen zu vermeiden, und mit Schaumstoff umwickelt, um Erschütterungen und Stöße während des Transports zu dämpfen und die Qualität der Produkte in ihrem ursprünglichen Zustand zu gewährleisten.
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