Placa base IGBT de aluminio y carburo de silicio

Placa base de aluminio y carburo de silicio para IGBT Hoja de datos

Fórmula química:	Al-SiC
Forma:	Placa
Dimensión:	Estándar o personalizado

Placa base de aluminio y carburo de silicio para IGBT Descripción

La placa base de aluminio y carburo de silicio para IGBT está diseñada para satisfacer los rigurosos requisitos térmicos y mecánicos de la electrónica de potencia moderna. Este material compuesto combina la conductividad térmica superior del aluminio con la dureza excepcional y la baja expansión térmica del carburo de silicio, garantizando una disipación eficaz del calor y minimizando el estrés térmico en los módulos IGBT. Su estructura estable mejora la resistencia a la deformación y al agrietamiento durante los cambios rápidos de temperatura, mejorando la fiabilidad y la vida útil de los dispositivos de potencia.

Material de carburo de aluminio y silicio Composición química

Tecnología	Código de referencia del material	Fracción de volumen		Ventajas de rendimiento	Instrucciones para la solicitud
		SiC (%)	Al (%)
RSPM + HIP (Solidificación rápida + HIP)	HMA15	15	85	✔Alta resistencia específica y rigidez ✔Baja densidad ✔Excelente resistencia al desgaste ✔Buena resistencia al calor	✔ Componentes ligeros y resistentes al desgaste ✔Alternativa a las aleaciones de aluminio, acero fundido, hierro fundido y aleaciones de titanio ✔Componentes de frenos, pistones, bielas, aletas ventrales de cazas, piezas forjadas de rotores de helicópteros.
	HMA30	30	70
	HMA40	40	60	✔Alta resistencia específica y rigidez ✔Alto límite elástico ✔Baja expansión térmica ✔Alta conductividad térmica	✔Aplicaciones aeroespaciales y de defensa ✔Espejos ópticos, componentes del sistema de navegación inercial ✔Alternativa al berilio, vitrocerámica, vidrio de cuarzo
	HMA50	50	50
Infiltración a presión (PI)	HMA55	55	45	✔Alto módulo específico ✔Baja densidad ✔Baja expansión térmica ✔Alta conductividad térmica	✔Materiales de gestión térmica para uso militar y civil ✔Sustratos militares IGBT, sustratos PCB, placas base de disipación de calor ✔Bases y carcasas de componentes electrónicos, bases y carcasas de módulos amplificadores de potencia ✔Alternativa a las aleaciones W/Cu, Mo/Cu, Kovar
	HMA65	65	35
	HMA70	70	30

Placa base de aluminio y carburo de silicio para IGBT Características

• Conductividad térmica superior: Garantiza una disipación eficaz del calor para mantener temperaturas de funcionamiento óptimas en los módulos IGBT.
• Bajo coeficiente de expansión térmica: Reduce el estrés térmico y evita el alabeo durante las fluctuaciones de temperatura.
• Alta resistencia mecánica: Ofrece una excelente resistencia al agrietamiento y a la deformación bajo ciclos térmicos.
• Diseño ligero: Combina la ligereza del aluminio con la resistencia del carburo de silicio para facilitar su integración y manejo.
• Tamaños personalizables: Disponible en varias dimensiones para adaptarse a aplicaciones específicas de electrónica de potencia.

Aplicaciones de la placa base IGBT de carburo de aluminio y silicio

• Módulos de electrónica de potencia: Se utiliza como componente básico en módulos IGBT para una gestión térmica eficaz.
• Sistemas de energías renovables: Esencial en inversores solares y convertidores eólicos para garantizar una disipación fiable del calor.
• Vehículos eléctricos: Admite módulos IGBT de alta potencia en cadenas cinemáticas de vehículos eléctricos para mejorar el rendimiento y la durabilidad.
• Automatización industrial: Se aplica en servoaccionamientos y controladores de motor que requieren un rendimiento térmico estable.
• Ferrocarril y transporte: Se utiliza en convertidores de tracción y unidades de control de potencia para soportar elevados esfuerzos térmicos y mecánicos.