Sustrato de aluminio y carburo de silicio para IGBT

Hoja de datos del sustrato de aluminio y carburo de silicio para IGBT

Fórmula química:	Al-SiC
Forma:	Sustrato
Dimensión:	Estándar o personalizado

Sustrato de aluminio y carburo de silicio para IGBT Descripción

El sustrato de aluminio y carburo de silicio para IGBT está diseñado para ofrecer el rendimiento térmico y la durabilidad mecánica superiores que requieren las exigentes aplicaciones de electrónica de potencia. Al integrar la excelente conducción térmica del aluminio con la alta dureza y baja expansión térmica del carburo de silicio, este sustrato gestiona eficazmente el calor generado en los módulos IGBT, evitando el sobrecalentamiento y mejorando la eficiencia. Su robusta estructura también mejora la resistencia a los ciclos térmicos y al estrés mecánico, garantizando la estabilidad operativa a largo plazo.

Material de carburo de aluminio y silicio Composición química

Tecnología	Código de referencia del material	Fracción de volumen		Ventajas de rendimiento	Instrucciones para la solicitud
		SiC (%)	Al (%)
RSPM + HIP (Solidificación rápida + HIP)	HMA15	15	85	✔Alta resistencia específica y rigidez ✔Baja densidad ✔Excelente resistencia al desgaste ✔Buena resistencia al calor	✔ Componentes ligeros y resistentes al desgaste ✔Alternativa a las aleaciones de aluminio, acero fundido, hierro fundido y aleaciones de titanio ✔Componentes de frenos, pistones, bielas, aletas ventrales de cazas, piezas forjadas de rotores de helicópteros.
	HMA30	30	70
	HMA40	40	60	✔Alta resistencia específica y rigidez ✔Alto límite elástico ✔Baja expansión térmica ✔Alta conductividad térmica	✔Aplicaciones aeroespaciales y de defensa ✔Espejos ópticos, componentes del sistema de navegación inercial ✔Alternativa al berilio, vitrocerámica, vidrio de cuarzo
	HMA50	50	50
Infiltración a presión (PI)	HMA55	55	45	✔Alto módulo específico ✔Baja densidad ✔Baja expansión térmica ✔Alta conductividad térmica	✔Materiales de gestión térmica para uso militar y civil ✔Sustratos militares IGBT, sustratos PCB, placas base de disipación de calor ✔Bases y carcasas de componentes electrónicos, bases y carcasas de módulos amplificadores de potencia ✔Alternativa a las aleaciones W/Cu, Mo/Cu, Kovar
	HMA65	65	35
	HMA70	70	30

Sustrato de aluminio y carburo de silicio para IGBT Características

• Alta conductividad térmica: Disipa eficazmente el calor generado por los módulos IGBT para mantener temperaturas de funcionamiento óptimas.
• Bajo coeficiente de expansión térmica: Minimiza el estrés térmico y garantiza la estabilidad dimensional durante los cambios de temperatura.
• Excelente resistencia mecánica: Proporciona durabilidad y resistencia a la deformación mecánica bajo ciclos térmicos.
• Estructura ligera: Combina la ligereza del aluminio con la resistencia del carburo de silicio para facilitar la integración sin añadir un peso excesivo.
• Dimensiones personalizables: Disponibles en varios tamaños y grosores para satisfacer los requisitos específicos de cada aplicación.

Aplicaciones del sustrato IGBT de carburo de aluminio y silicio

• Módulos de electrónica de potencia: Se utiliza como material base para módulos IGBT en inversores, convertidores y accionamientos de motores para garantizar una disipación eficaz del calor.
• Sistemas de energías renovables: Imprescindible en inversores solares y convertidores de turbinas eólicas para una gestión térmica fiable.
• Vehículos eléctricos: Admite módulos IGBT de alta potencia en cadenas cinemáticas de vehículos eléctricos para mejorar el rendimiento y la durabilidad.
• Automatización industrial: Se aplica en servoaccionamientos y controladores industriales que requieren un rendimiento térmico estable.
• Ferrocarril y transporte: Se utiliza en convertidores de tracción y unidades de control de potencia para soportar elevadas cargas térmicas y esfuerzos mecánicos.