Plaque de base IGBT en aluminium et carbure de silicium

Fiche technique de la plaque de base IGBT en aluminium et carbure de silicium

Formule chimique :	Al-SiC
Forme :	Assiette
Dimension :	Standard ou personnalisé

Plaque de base IGBT en aluminium et carbure de silicium Description

L'embase IGBT en aluminium et carbure de silicium est conçue pour répondre aux exigences thermiques et mécaniques rigoureuses de l'électronique de puissance moderne. Ce matériau composite associe la conductivité thermique supérieure de l'aluminium à la dureté exceptionnelle et à la faible dilatation thermique du carbure de silicium, assurant une dissipation efficace de la chaleur et minimisant les contraintes thermiques dans les modules IGBT. Sa structure stable renforce la résistance à la déformation et à la fissuration lors des changements rapides de température, améliorant ainsi la fiabilité et la durée de vie des dispositifs de puissance.

Composition chimique du matériau en carbure d'aluminium et de silicium

Technologie	Code de référence du matériau	Fraction de volume		Avantages en termes de performances	Modalités d'application
		SiC (%)	Al (%)
RSPM + HIP (Solidification rapide + HIP)	HMA15	15	85	Résistance et rigidité spécifiques élevées ✔Faible densité ✔Excellente résistance à l'usure ✔Bonne résistance à la chaleur	✔Composants légers et résistants à l'usure ✔Alternative aux alliages d'aluminium, à l'acier moulé, à la fonte et aux alliages de titane Composants de freinage, pistons, bielles, ailerons de chasseurs, pièces forgées pour rotors d'hélicoptères
	HMA30	30	70
	HMA40	40	60	Résistance et rigidité spécifiques élevées ✔Résistance élevée à la micro-déformation ✔Faible dilatation thermique ✔Haute conductivité thermique	✔Applications dans le domaine de l'aérospatiale et de la défense ✔Miroirs optiques, composants de systèmes de navigation inertielle ✔Alternative au béryllium, vitrocéramique, verre de quartz
	HMA50	50	50
Infiltration sous pression (IP)	HMA55	55	45	✔Module spécifique élevé ✔Faible densité ✔Faible dilatation thermique ✔Haute conductivité thermique	✔Matériels de gestion thermique à usage militaire et civil ✔Substrats IGBT militaires, substrats pour circuits imprimés, plaques de base pour la dissipation de la chaleur ✔Bases et boîtiers de composants électroniques, boîtiers et bases de modules d'amplificateurs de puissance ✔Alternative aux alliages W/Cu, Mo/Cu, Kovar
	HMA65	65	35
	HMA70	70	30

Caractéristiques de la plaque de base IGBT en aluminium et carbure de silicium

• Conductivité thermique supérieure : Assure une dissipation efficace de la chaleur pour maintenir des températures de fonctionnement optimales dans les modules IGBT.
• Faible coefficient de dilatation thermique : Réduit les contraintes thermiques et évite les déformations lors des fluctuations de température.
• Haute résistance mécanique : Offre une excellente résistance à la fissuration et à la déformation sous l'effet des cycles thermiques.
• Conception légère : Combine la légèreté de l'aluminium et la résistance du carbure de silicium pour une intégration et une manipulation aisées.
• Tailles personnalisables : Disponibles en différentes dimensions pour s'adapter aux applications spécifiques de l'électronique de puissance.

Applications de l'embase IGBT en carbure d'aluminium et de silicium

• Modules d'électronique de puissance : Utilisé comme composant de base dans les modules IGBT pour une gestion thermique efficace.
• Systèmes d'énergie renouvelable : Essentiel dans les onduleurs solaires et les convertisseurs d'énergie éolienne pour assurer une dissipation fiable de la chaleur.
• Véhicules électriques : Prend en charge les modules IGBT haute puissance dans les groupes motopropulseurs des véhicules électriques pour une performance et une durabilité accrues.
• Automatisation industrielle : Utilisé dans les servomoteurs et les contrôleurs de moteur, nécessitant des performances thermiques stables.
• Chemins de fer et transports : Utilisé dans les convertisseurs de traction et les unités de contrôle de la puissance pour gérer les contraintes thermiques et mécaniques élevées.