Mandrin électrostatique en nitrure d'aluminium

Aluminum Nitride Electrostatic Chuck HM

Mandrin électrostatique en nitrure d'aluminium

  • Dimensions sur mesure et dimensions standard en stock
  • Prix compétitif
  • Délai d'exécution rapide

  • Aluminum Nitride Electrostatic Chuck is made from high performance aluminum nitride ceramic, possessing exceptional thermal conductivity, strong mechanical strength, and excellent resistance to plasma erosion. It is ideal for semiconductor wafer processing, thin film deposition, etching, etc. As a leading supplier and manufacturer of premium aluminum nitride products, we can supply high-quality aluminum nitride electrostatic chucks (AlN ESCs) with various specifications and competitive prices, offering customized solutions to meet specific requirements.
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Aluminum Nitride Electrostatic Chuck Sheet

Code de référence :

HM2085

Densité :

3.3 g/cm3

Apparence :

Greyish White, Beige

Conductivité thermique :

170-230 W/m·K

Mandrin électrostatique en nitrure d'aluminium

Aluminum Nitride Electrostatic Chuck (AlN ESC) is an advanced component designed to securely hold semiconductor wafers and substrates during various high-precision manufacturing processes. It offers excellent thermal conductivity, strong mechanical strength, and resistance to plasma erosion. Their electrostatic chucking capability ensures reliable wafer clamping without physical contact, reducing contamination risks and improving process efficiency. It is mainly used in semiconductor wafer processing, thin film deposition, and etching. Advanced Céramique Hub can provide customized solutions in various specifications to meet diverse industrial and research applications.

  • Aluminum Nitride Electrostatic Chuck HM 1

Aluminum Nitride Electrostatic Chuck Applications

  • Fabrication de semi-conducteurs : Aluminum Nitride Electrostatic Chucks (AlN ESCs) are widely used in semiconductor wafer processing, particularly in etching and chemical vapor deposition (CVD) processes. The high thermal conductivity of AlN helps maintain temperature stability, while the electrostatic chucking capability ensures the wafer is securely held in place without mechanical contact.
  • Thin Film Deposition: In thin film deposition processes, such as sputtering or evaporation, AlN ESCs are used to stabilize the substrate and control its temperature. The electrostatic chucking helps ensure uniform deposition, leading to high-quality thin films.
  • Usinage de précision : AlN ESCs are used in precision machining and microelectronics, where a high level of control over the substrate’s position and temperature is essential.
  • Plasma Etching: During plasma etching, AlN ESCs are used to hold substrates in place while ensuring that heat dissipation is efficient. This improves the quality of etching and protects the substrate from damage.
  • LED and Solar Cell Manufacturing: AlN ESCs are used in producing light-emitting diodes (LEDs) and solar cells, where precise temperature control is crucial for optimizing the quality and performance of these devices.
  • Plasma Implantation Equipment IMP HM
    Plasma Implantation Equipment (IMP)
  • Équipement de gravure au plasma ETCH HM
    Plasma Etching Equipment (ETCH)
  • Physical vapor deposition equipment PVD HM
    PVD Equipment
  • Chemical vapor deposition equipment CVD HM
    CVD Equipment

Propriétés du nitrure de silicium

Propriété

Unité

HMAN1000

HMAN2000

HMAN3000

HMAN4000

HMAN1000S

Densité

g/cm3

3.32

3.32

3.32

3.30

3.30

Module de Young

GPa

 300-350

300-350

300-350

300-350

350

Résistance à la rupture KIC

MPa m1/2

3

3

3

2.5

3

Rapport de Poisson

–

 0.22

0.22

0.22

0.22

0.22

Résistance à la compression

MPa

3000

3000

3000

3000

3000

Résistance à la flexion à 25°C

MPa

350

350

350

350

350

Dureté

GPa

10

10

10

12

11

Propriété

Unité

HMAN1000

HMAN2000

HMAN3000

HMAN4000

HMAN1000S

Conductivité thermique à 25°C

W/mK

170

200

230

200

170

CTE 25°C ➞ 400°C

10-6/K

4.5

4.5

4.5

3.5

4.6

Température maximale (air)

°C

1200

1200

1200

1200

1200

Température maximale (inerte)

°C

1200

1200

1200

1200

1200

Propriété

Unité

HMAN1000

HMAN2000

HMAN3000

HMAN4000

HMAN1000S

Constante diélectrique

1 MHz

8.8

8.8

8.5

8.5

8.8

Perte diélectrique

1 MHz

5×10-4

5×10-4

5×10-4

5×10-4

5×10-4

Rigidité diélectrique DC @ 25°C

kV/mm

15

15

15

15

14

Résistivité volumique à 25°C

ohm-cm

 >1013

>1013

>1013

 >1014

 >1014

Grades de matériaux en nitrure de silicium

HMAN1000 est notre nitrure d'aluminium standard de haute pureté avec une conductivité thermique de 170 W/mK. Il s'agit de la même performance thermique que notre matériau de substrat, mais il offre la possibilité d'obtenir des pièces plus grandes en longueur/largeur et en épaisseur jusqu'à 30 mm.
Le HMAN1000 a un bon coefficient de dilatation thermique, comparable à celui du silicium et du nitrure de gallium dans une large gamme de températures.

HMAN100 Applications :

  • Isolateurs de haute puissance
  • Composants laser
  • Dissipateurs thermiques refroidis à l'eau
  • Électronique de puissance
  • Composants aérospatiaux, médicaux et semi-conducteurs

HMAN1000S 170 W/mK est notre matériau de substrat standard à haute conductivité thermique, mais d'autres qualités à haute performance sont également disponibles.

HMAN1000S Applications :

  • Dissipateurs de chaleur
  • Diffuseurs de chaleur
  • Dissipateurs de chaleur pour laser Redresseurs de puissance
  • Aérospatiale, électronique de puissance, redresseurs

HMAN2000 est l'un de nos grades améliorés de nitrure d'aluminium, offrant toutes les performances mécaniques de HMAN1000 avec les avantages supplémentaires d'une conductivité thermique de 200 W/mK.

Applications HMAN2000:

  • Dissipateurs de chaleur
  • Diffuseurs de chaleur
  • Dissipateurs de chaleur pour laser Redresseurs de puissance
  • Aérospatiale, électronique de puissance, redresseurs

HMAN3000 est l'un de nos grades améliorés de nitrure d'aluminium offrant toutes les performances mécaniques de HMAN1000 avec les avantages supplémentaires d'une conductivité thermique de 230 W/mK.

HMAN3000 Applications :

  • Dissipateurs de chaleur
  • Diffuseurs de chaleur
  • Dissipateurs de chaleur pour laser Redresseurs de puissance
  • Aérospatiale, électronique de puissance, redresseurs

HMAN4000 est l'un de nos grades améliorés de nitrure d'aluminium offrant toutes les performances mécaniques de HMAN1000 avec les avantages supplémentaires d'une conductivité thermique de 200 W/mK.

HMAN4000 Applications :

  • Dissipateurs de chaleur
  • Diffuseurs de chaleur
  • Dissipateurs de chaleur pour laser Redresseurs de puissance
  • Aérospatiale, électronique de puissance, redresseurs

Usinage de la céramique de nitrure de silicium

Usinage de la céramique HM

L'usinage des céramiques de nitrure d'aluminium (AlN) est un processus précis utilisé pour fabriquer des composants de haute performance à partir de matériaux à base de nitrure d'aluminium. L'usinage des céramiques de nitrure d'aluminium nécessite un équipement et des techniques spécialisés pour gérer leur fragilité et leur dureté. Un outillage approprié et des environnements contrôlés sont essentiels pour éviter d'endommager le matériau et obtenir la finition de surface et la précision dimensionnelle souhaitées. Les méthodes d'usinage les plus courantes sont les suivantes :

  • Coupe de diamants : Les outils diamantés sont utilisés pour obtenir une précision fine et des finitions de surface lisses, idéales pour les formes complexes.
  • Découpe au laser : Une méthode sans contact utilisée pour les formes complexes, avec une grande précision et un impact thermique minimal.
  • Meulage de précision : Utilisé pour obtenir des tolérances et des finitions de surface fines. Nécessite une attention particulière pour éviter les fissures ou les éclats en raison de la fragilité de la céramique.
  • L'électroérosion à fil (EDM) : Méthode souvent utilisée pour les découpes complexes, en particulier pour les géométries fines et complexes.

Emballage en céramique de nitrure d'aluminium

Les produits en céramique de nitrure d'aluminium sont généralement emballés dans des sacs scellés sous vide pour éviter l'humidité ou la contamination et enveloppés de mousse pour amortir les vibrations et les chocs pendant le transport, ce qui garantit la qualité des produits dans leur état d'origine.

emballage de produits céramiques HM

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Nous vérifierons et reviendrons vers vous dans les 24 heures.

To customize your quartz ceramic rollers, please provide the foTo To customize your aluminum nitride electrostaic chuck, please provide the following details:

  1. Dimensions: Specify the desired parameters (e.g., length, width, diameter, thickness, etc.)
  2. Forme: Rectangular, square, round, etc.
  3. Tolérances: Spécifiez les tolérances requises.
  4. La pureté de la matière
  5. Thermal management: Indicate the maximum operating temperature, desired thermal conductivity, etc.
  6. Electrode design: Specify the electrode structure type, material, configuration, etc.
  7. Substrate type: The type of wafer or substrate material (e.g., silicon, glass, ceramics, etc.) that the chuck will handle.
  8. Application: Indicate the intended application or industry.
  9. Quantité des produits dont vous avez besoin
  10. Vous pouvez également fournir un dessin avec vos spécifications.

Une fois que nous aurons reçu ces informations, nous pourrons vous fournir un devis dans les 24 heures.

Nous avons en stock une grande variété de produits à base de nitrure de bore et pour ceux-ci, il n'y a généralement pas de minimum de commande. Toutefois, pour les commandes personnalisées, nous fixons généralement une valeur minimale de $200. Le délai de livraison des produits en stock est généralement de 1 à 2 semaines, tandis que celui des commandes personnalisées est de 3 à 4 semaines, en fonction des spécificités de la commande.

Aluminum Nitride electrostatic chuck is a device used to hold wafers securely in semiconductor processing using electrostatic force, offering high thermal conductivity and insulation.

Aluminum nitride offers a unique combination of high thermal conductivity, electrical insulation, and resistance to wear, ideal for demanding applications.

Advanced Ceramic Hub, établi en 2016 dans le Colorado, aux États-Unis, est un fournisseur spécialisé et un fabricant de produits à base de graphène. Avec une grande expertise dans l'approvisionnement et l'exportation, nous offrons des prix compétitifs et des solutions personnalisées adaptées à des exigences spécifiques, garantissant une qualité exceptionnelle et la satisfaction du client. En tant que fournisseur professionnel de céramiques, de métaux réfractaires, d'alliages spéciaux, de poudres sphériques et de divers matériaux avancés, nous répondons aux besoins de recherche, de développement et de production industrielle à grande échelle des secteurs scientifique et industriel.

Mandrin électrostatique en nitrure d'aluminium

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